Com um investimento de US$ 7 bilhões, a construção da usina nova começou na capital da Província de Shaanxi em setembro de 2012. Este representa o maior investimento estrangeiro único desde a abertura e reforma da China em 1978.
O chip "V-NAND" usa a tecnologia de processamento de 10 nanômetros.
"Com a produção em massa de chips de memória V-NAND na China, que serve como uma base de produção para empresas globais de tecnologia de informação e responde por 50% da demanda global pelo produto, a Samsung é capaz de satisfazer os clientes e mercados de forma mais efetiva", disse um comunicado da companhia.
O governador da província, Lou Qinjian, afirmou que a operação da Samsung em Xi'an ajudará a capital antiga chinesa a construir uma indústria grande de semicondutores e se tornar uma grande base da indústria de informação.
O CEO da Samsung Electronics, Kwon Oh-kyun, espera que a usina passe a ser um "ponto de início da Rota de Seda no século 21" que liga a Ásia e a Europa, durante uma cerimônia para marcar a conclusão da planta.
por Xinhua
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